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SST25VF032B-80-4I-S2AF,MICROCHIP存储器

SST25VF032B-80-4I-S2AF特征

•单电压读写操作

–2.7 - 3.6V

串行接口结构

SPI兼容：模式0和模式3

高速时钟频率

-高达80兆赫

•卓越的可靠性

-耐力：100000个周期

-大于100年的数据保留

•Low Power消费：

-活动读电流：10毫安（典型）

–待机电流：5μ一（典型）

灵活擦除功能

–均匀的4字节扇区

–均匀覆盖块32字节

–均匀覆盖块64字节

•快速擦除和字节程序：

-芯片擦除时间：35毫秒（典型）

-扇区/块擦除时间：18毫秒（典型）

–字节的程序时间：7μ的（典型的）

•地址自动增量（AAI）字编程

-减少整个芯片编程时间超过字节程序

操作

•写结束检测

-软件轮询状态寄存器中的忙位

-忙状态读出SO引脚

•持销（持有#）

-将序列暂停到内存中。

没有选择的装置

•写保护（WP #）

-启用/禁用状态锁定功能

登记

•软件写保护

-通过块保护位写入保护

登记

•温度范围

-工业：- 40°C至85°C

•封装

–8引脚SOIC（200毫升）

–8接触WSON（5 x 6 mm）

•所有设备都符合RoHS标准

SST25VF032B-80-4I-S2AF描述

SST系列25系列闪存具有一个四线，SPI兼容的接口，允许一个

低引脚数封装占用较少的电路板空间，并终降低系统总成本。

SST25VF032B的SPI串行闪存与SST的专有制造，高性能

CMOS的SuperFlash技术。分裂栅单元设计与厚氧化隧穿注入器达到较好

与替代方法相比的可靠性和可制造性。

该SST25VF032B大大提高设备的性能和可靠性，同时降低功耗

消费。设备写（编程或擦除）一个2.7 - 3.6V的单电源

SST25VF032B。消耗的总能量是一个电压、电流的功能，和时间

应用。因为对于任何给定的电压范围，使用更少的SuperFlash技术电流程序

并且擦除时间更短，在擦除或程序操作期间消耗的总能量。

SST25VF032B-80-4I-S2AF

SST 25系列闪存系列具有四线，SPI兼容接口

这允许一个低引脚数封装占用较少的电路板空间和

终降低系统总成本。该设备是增强SST25VF032B

提高了工作频率，降低了功耗。

SST25VF032B的SPI串行闪存与SST的专有制造，

高性能CMOS的SuperFlash技术。分裂门细胞

设计和厚氧化物隧道注入器获得更好的可靠性和可制造性。

比较替代方法。