相关证件: 
会员类型:
会员年限:8年
MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2 A
特征
■极其高的dv / dt的能力
■100%雪崩测试
■栅极电荷化
■非常低的本征电容
■制造重复性很好
描述
这个超级网孔™系列获得通过
ST优化的极端优化
基于™PowerMESH布局条。除了
推动电阻显著下降,特别
护理是为了确保一个非常好的DV / dt
苛刻的应用程序的能力。
此类系列补充ST全系列高
包括革命性的电压MOSFET
™MDmesh产品。
应用
■开关应用