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STN3P6F6
ST(意法半导体)
SOT-223-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
4000
MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
特征 非常低电阻 极低的栅极电荷 雪崩耐用性 低栅极驱动功率损耗 应用 开关应用 描述 该器件是一个P沟道功率MOSFET 使用™F6 STripFET技术开发, 采用新型沟槽闸门结构。由此产生的 功率MOSFET具有非常低的RDS(ON)在所有 包装.