深圳市水星电子有限公司

JS28F00AM29EWHA,Micron存储器规格

特征
•2gb =堆叠装置（2 1gb死）
•电源电压
-的VCC = 2.7 - 3.6V的（程序，擦除，读取）
–VCCQ = 1.65–VCC（I/O缓冲区）
异步随机/页面读取
页面大小：16字或32字节
–页面访问：25ns
–随机存取：100ns（强化BGA）；
110ns（TSOP）
缓冲程序：512字程序缓冲区
•程序时间
- 0.88μs每字节（1.14 Mb / s）典型时，充分使
缓冲区512字缓冲区大小
•存储器组织
–均匀块：128字节或64 Kwords每个
•程序/擦除控制器
–嵌入式字节（x8）/字（x16）的程序算法
•程序/擦除暂停和恢复能力
-从程序中读取另一个块
停业
-在擦除期间读取或编程另一个块
停业
•空白检查操作，以验证擦除块
•解锁旁路，块擦除，芯片擦除，并写入
缓冲能力
-快速缓冲/批处理编程
-快速块/芯片擦除
•VPP /可湿性粉剂#密码保护
-保护个或一个块，不管块
保护设置
•软件保护
–挥发性保护
–非易失性保护
–密码保护
–密码访问
扩展内存块
- 128字（256字节）块，安全
识别
-编程或锁定在工厂或由
顾客
•低功耗：待机模式
•jesd47兼容
每块100000个擦除周期
数据保存：20年（典型）
•65nm多级单元（MLC）工艺技术
•包
–56引脚TSOP，14×20mm
–强化64球BGA，13 x 11mm
绿色包装可用
–RoHS
–无卤
•操作温度
-环境：- 40°C到85°C
产品属性
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态 上次购买时间
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 1Gb （128M x 8，64M x 16）
写周期时间 - 字，页 110ns
访问时间 110ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装 56-TSOP（14x20）