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李`R 
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IPD65R600E6,INFINEON晶体管规格
1描述
特征
损耗极低，由于非常低的F O M R DSON * Qg和E源码
很高换向耐用性
易于使用/驱动器
jedec1）合格，无铅电镀，无卤复合模具2可用）
应用
PFC阶段，硬开关PWM阶段和谐振开关PWM阶段
如PC silverbox、适配器、LCD和PDP电视、闪电、服务器、电信和UPS。
请注意：MOSFET并联使用fferrite珠在门上或
单独图腾柱一般推荐
规格
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 7.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 540 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标名: CoolMOS
商标: Infineon Technologies
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
Pd-功率耗散: 63 W
系列: CoolMOS E6
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6XT SP000800216
单位重量: 4 g
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