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李`R 
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ST原装MOSFET管STW21NM60ND规格
制造商零件编号：
STW21NM60ND
制造商:
STMicroelectronics
说明：
MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 220 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 48 ns
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
Pd-功率耗散: 140 W
上升时间: 16 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 600
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 5.15 mm
单位重量: 38 g
特征
•内在快恢复体二极管
•RDS（*）*领域之间的快速
恢复二极管器件
•100%雪崩测试
•低输入电容与门电荷
•低门输入电阻
•极高的dt / dt和雪崩
能力
应用
•开关应用
描述
这些™FDmesh II功率MOSFET
内部快速恢复体二极管生产
利用MDmesh™二代
技术。利用新的条形图垂直布置
结构，这些革命性的设备特征
极低的抵抗力和优越性
开关性能。它们是理想的桥梁。
拓扑和ZVS移相转换器
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