深圳市水星电子有限公司

IR原装MOSFET管IRFP260MPBF功能

制造商零件编号：
IRFP260MPBF
制造商:
Infineon Technologies
说明：
MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
规格
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 156 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 48 ns
正向跨导 - 值: 27 S
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 300 W
上升时间: 60 ns
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
描述
第五代hexfets从国际先进的加工utilize整流
技术实现极低的每硅阻力区。这个效果，
联合与固定的交换速度和ruggedized装置的设计。
好的hexfet功率金氧半场效电晶体是已知的，提供的设计和
非常可靠和高效的设备的使用在宽品种的应用。
《两个247包冰优先的商业，工业应用
高功率水平的preclude塑封器件。冰的TO - 247相似
但在上两人之前的两个部分（218，因为其对离体mounting孔。
先进的工艺技术
动态dv/dt额定
175°c操作温度
固定交换
全雪崩额定
大学paralleling放松
简单的操作要求
无引线