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INFINEON原装MOSFET管IPW65R041CFD功能

制造商零件编号：
IPW65R041CFD
制造商:
Infineon Technologies
说明：
MOSFET N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
规格
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 68.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 300 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
商标: Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
下降时间: 8 ns
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
Pd-功率耗散: 500 W
上升时间: 28 ns
系列: CoolMOS CFD2
工厂包装数量: 240
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 127 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
宽度: 5.21 mm
零件号别名: IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDXK SP000756288
单位重量: 38 g
描述：
650v CoolMOS™cfd2是英飞凌的第二代市场的高压CoolMOS™MOSFET集成的快速体二极管。的cfd2设备与提高能源效率的600V CFD的继任者。较软的换向行为，因此更好的电磁干扰行为使该产品具有明显的优势，与竞争对手相比。
特征描述：
650v技术集成的快速体二极管
硬整流过程中的极限电压过冲
大Q G相比减少至600V CFD技术
更严格的R DS（上）到R DS（on）典型窗口
易于设计
600V CFD技术相比，价格低
优势：
体二极管重复整流时低q值引起的低开关损耗
自限性di／dt和dt／dt
低Q OSS
减少开启和延迟时间的转弯
CoolMOS™质量
目标应用：
电信
服务器
太阳能
HID灯电子镇流器
LED照明
emobility