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李`R 
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供应ST晶体管STD10P6F6
规格
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Id-连续漏极电流: - 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 7 nC
工作温度: + 175 C
封装: Reel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 10 ns
Pd-功率耗散: 35 W
上升时间: 7 ns
系列: P-channel STripFET
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 16.5 ns
典型接通延迟时间: 7.5 ns
询价
