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李`R 
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STD25NF10T4原装ST晶体管
一般特征
■例外的dv / dt的能力
■面向应用的特性
■100%雪崩测试
■面向应用的特性
描述
此功率MOSFET系列实现
意法半导体独特的STripFET进程
专门设计，以尽量减少输入
电容与门电荷。因此，
适合作为先进高效的主开关
用于电信的隔离DC-DC转换器
计算机应用。它也用于
低栅极电荷驱动的任何应用
要求.
应用
■开关中的应用
产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET™ II
包装 带卷（TR）
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1550pF @ 25V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 100W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 38 毫欧 @ 12.5A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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